TSM250N02DCQ RFG
/MOSFET 20V Dual N-Channel MOSFET
TSM250N02DCQ RFG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDFN-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:5.8 A
Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Qg-栅极电荷:7.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:620 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:2 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:7.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11.6 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:23.9 ns
典型接通延迟时间:4.1 ns
TSM250N02DCQ RFG
TSM250N02DCQ RFG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM250N02DCQ RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V Dual N-Channel MOSFET | 1:¥4.1471 10:¥3.5369 100:¥2.6329 500:¥1.9323 3,000:¥1.3221 6,000:查看
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